三極管BJT與場(chǎng)效應(yīng)管FET的區(qū)別很多，簡(jiǎn)單列幾條：

1.      三極管用電流控制，MOS管屬于電壓控制，BJT放大電流，F(xiàn)ET將柵極電壓轉(zhuǎn)換為漏極電流。BJT第一參數(shù)是電流放大倍數(shù)β值，F(xiàn)ET第一參數(shù)是垮導(dǎo)gm；

2.        驅(qū)動(dòng)能力：MOS管常用電源開關(guān)管，以及大電流地方開關(guān)電路；

3.        成本問題：三極管便宜，MOS貴；

4.        BJT線性較差，F(xiàn)ET線性較好；

5.        BJT噪聲較大，F(xiàn)ET噪聲較小；

6.        BJT極性只有NPN和PNP兩類，F(xiàn)ET極性有N溝道、P溝道，還有耗盡型和增強(qiáng)型，所以FET選型和使用都比較復(fù)雜；

7.        功耗問題：BJT輸入電阻小，消耗電流大，F(xiàn)ET輸入電阻很大，幾乎不消耗電流；

  實(shí)際上就是三極管比較便宜，用起來方便，常用在數(shù)字電路開關(guān)控制；MOS管用于高頻高速電路，大電流場(chǎng)合，以及對(duì)基極或漏極控制電流比較敏感的地方。

  總的看，無論在分立元件電路還是集成電路中，F(xiàn)ET替代BJT都是一個(gè)大趨勢(shì)。